作者:徐守龙,邹树梁,黄有骏 单位:中国物理学会发光分会;中科院长春光机所 出版:《发光学报》2017年第03期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFFGXB2017030060 DOC编号:DOCFGXB2017030069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS图像传感器辐射损伤研究》PDF+DOC2017年第03期 邹旸,黄景昊 《多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究》PDF+DOC2016年第11期 徐守龙,邹树梁,武钊,罗志平,黄有骏,蔡祥鸣 《浅谈小型化星敏感器图像传感器的选型及其灵敏度提高方法》PDF+DOC2016年第01期 游鹏程,桑文华,严小军,廖波勇 《硅微电容式声压传感器γ射线电离辐射效应研究》PDF+DOC2019年第05期 曲延涛,全洪涛,韩永超 《CMOS图像传感器的γ射线电离辐照实验研究》PDF+DOC2019年第11期 刘力,王湘江 《电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化》PDF+DOC2018年第04期 马林东,郭旗,李豫东,文林,冯婕,张翔,王田珲 《不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应》PDF+DOC2018年第10期 马林东,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕 《CMOS APS数字模组辐射环境中的屏蔽加固》PDF+DOC2018年第04期 徐守龙,邹树梁,彭聪 《固体图像传感器稳定发展》PDF+DOC1989年第03期 R.P.Khosla,冯伯儒 《CCD与CMOS图像传感器探测性能比较》PDF+DOC2005年第01期 宋敏,郐新凯,郑亚茹
  • 研究了γ射线电离辐射效应对商用CMOS有源像素传感器(APS)性能参数的影响,着重分析了量子效率、转换增益、暗电流、坏点和脉冲颗粒噪声等参数。研究结果表明:当受到1 000 Gy辐射后,APS失去工作能力,无信号输出或像素灰度值仅为0,110,255 DN。60Coγ射线的离位截面约为10-25cm2(0.1 b)。当剂量率低于58.3 Gy/h且辐照时间较短时,辐射对量子效率及转换增益无影响,坏点产生数为0,总剂量效应使3T-APS的本底噪声升高到4.62 DN但对4T PPD APS几乎无影响。脉冲颗粒噪声引起的各灰度值像素数量分布呈泊松分布,并与剂量率正相关。

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