作者：何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2015年第04期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2015040060 DOC编号：DOCBDTQ2015040069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器。分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径，根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡，开发了压阻式SiC高温压力传感器。通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计，解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点，最终加工形成SiC高温压力传感器芯片。经过高温带电测试，加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号，传感器非线性指标达到1.054%，芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V，证明了整套技术的有效性。

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