作者:徐坤山,姜辉,仇性启,陈长标,刘守仪,徐长业 单位:中国西南应用磁学研究所 出版:《磁性材料及器件》2016年第04期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCXCQ2016040100 DOC编号:DOCCXCQ2016040109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 为了定量研究测量方法对磁记忆检测结果的影响,制取了含圆孔缺陷的试样,通过实验定量研究了试样放置方位和传感器提离值对磁记忆检测信号的影响,并与理论计算结果进行了比较。研究结果表明,试件放置方位对缺陷漏磁场的分布规律没有影响,仅对磁场强度数值有影响,试件铅垂并且东西方向放置时,检测结果更为明显。传感器提离值只对磁场强度数值有影响,对其分布规律没有影响,提离值越小,磁场强度值越高。研究结果对于金属磁记忆检测现场测量与提离值的选取具有借鉴意义。

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