作者:张晓斌,张远,李海生 单位:中国真空学会 出版:《真空科学与技术学报》2020年第08期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZKKX2020080150 DOC编号:DOCZKKX2020080159 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 采用磁控溅射的方法在传感器用单晶Si衬底上制备一层Mg-Sn涂层,实验测试研究溅射次数对其组织及导电特性的影响。研究结果表明:沉积涂层内形成了具有明显尺寸差异的颗粒,从而形成了粗糙的表面。随着溅射次数增加,Mg含量发生了逐渐降低的现象,Sn与O元素含量表现为逐渐升高的变化规律。随着溅射剥离时间的增加,Mg1s峰位从1286降低至1285 eV,表现为涂层深度增大后,Mg1s发生了峰位降低的现象。出现在沉积薄膜内的O主要是为了提高靶材的成型能力而加入一些有机物所产生的。各涂层都具有正的Hall系数,可以判断属于p型半导体。当涂层内Mg含量发生减小后,电导率也随之减小。当涂层内形成更少的Mg_2Sn与更多的Sn之后,引起了载流子浓度的下降,引起迁移率的减小。

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