作者：蔡毓龙,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕,马林东,张翔 单位：西北核技术研究所;国防工业出版社 出版：《现代应用物理》2019年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYWL2019010120 DOC编号：DOCYYWL2019010129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用~(60)Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验，研究了动态偏置下满阱容量的变化规律。试验的吸收剂量率为50rad(Si)&#183；s~(-1)，测试点的吸收剂量分别为10，30，50，100，150，200，350krad(Si)。结果表明，随着吸收剂量的增大，满阱容量发生了明显退化。根据提出的钳位光电二极管(PPD)满阱容量计算模型，对实验结果进行了分析。结果表明，辐照导致PPD沟道所能达到的最小电势和PPD电容的变化是引起满阱容量退化的主要原因。

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