作者：王帆,李豫东,郭旗,汪波,张兴尧,文林,何承发 单位：中国物理学会 出版：《》 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWLXB2016020230 DOC编号：DOCWLXB2016020239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究，着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退化的物理机理.实验的总剂量为200 krad(Si)，测试点分别为30 krad(Si)，100 krad(Si)，150 krad(Si)和200 krad(Si)，剂量率为50 rad(Si)/s.实验结果发现随着辐照总剂量的增加，器件的满阱容量下降并且暗电流显著增加.其中辐照使得传输门沟道掺杂分布发生改变是满阱容量下降的主要原因，而暗电流退化则主要来自于浅槽隔离界面缺陷产生电流和传输门-光电二极管交叠区产生电流.实验还表明样品器件的转换增益在辐照前后未发生明显变化，并且与3晶体管像素结构不同，4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器没有显著的总剂量辐照偏置效应。

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