作者:梁继然,张叶,杨然,赵一瑞,郭津榜 单位:中国科学院上海硅酸盐研究所 出版:《无机材料学报》2018年第12期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFWGCL2018120080 DOC编号:DOCWGCL2018120089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《纳米ZnO气敏传感器研究进展》PDF+DOC2015年第01期 宣天美,尹桂林,葛美英,林琳,何丹农 《氧化钨纳米线气敏传感器的制备及其室温NO_2敏感特性》PDF+DOC 赵博硕,强晓永,秦岳,胡明 《氧化钨纳米线修饰多孔硅结构的制备及NO_2气敏性能研究》PDF+DOC2019年第02期 胡明,秦岳,赵博硕,强晓永,周立伟 《热氧化纳米Zn制备ZnO厚膜及其气敏特性的研究》PDF+DOC2005年第01期 刘延辉,曾大文,王辉虎,谢长生 《掺入SiO_2纳米颗粒对厚膜ZnO气敏传感器气敏性能的影响》PDF+DOC2011年第06期 孙迎伟,胡木林,周志刚 《WO_3基气敏传感器》PDF+DOC 徐宇兴,谭强强,唐子龙,张中太,袁章福 《紫光激发提高ZnO基半导体气敏传感器的敏感性能》PDF+DOC2006年第02期 李金艳,胡木林,谢长生 《In_2O_3纳米材料气敏传感器制备方法综述》PDF+DOC2020年第18期 刘子豪,彭立安,冶小芳,贾翠萍 《金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响》PDF+DOC2006年第07期 邱美艳,孙以材,潘国锋,杜鹏,李辉 《单斜相TiO_2的制备及气敏性能》PDF+DOC2011年第03期 张佳佳,唐子龙,张中太
  • 以VO_2(B)纳米棒为内核,利用液相生长法制备了VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒,研究了ZnO生长溶液浓度对复合结构微观形貌和气敏性能的影响规律。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对复合结构样品的微观形貌和结晶取向进行表征,并测试了复合结构对NH_3的敏感性能。实验结果表明,随着ZnO种子液浓度的增大,ZnO逐渐由纳米颗粒生长为纳米棒结构,当ZnO种子液浓度为0.01 mol/L时,ZnO呈棒状沿径向发散生长在VO_2(B)纳米棒表面,形成树枝状VO_2(B)/ZnO异质复合纳米棒结构,这一结构在室温下表现出对NH_3的高灵敏度和突出的选择性,其灵敏度最大可达5.6,对NH_3的响应时间最短仅为2 s。在室温下表现出的优良NH_3敏感性能,主要与高密度的VO_2(B)/ZnO异质结和树枝状结构有关。研究结果为低功耗高灵敏度NH_3气敏传感器的研制提供了重要依据。

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