《表面SiO_2改性高选择性MOS氢气传感器》PDF+DOC
作者:何泽,张覃轶,薛妞子
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2018年第07期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2018070050
DOC编号:DOCCGJS2018070059
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以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO_2气体传感器表面沉积SiO_2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响。通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处理8 h后的SnO_2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性。同时讨论了Si O2改性层提高SnO_2传感器选择性和灵敏性的机理。
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