作者：张春林,张勇 单位：兰州大学 出版：《兰州大学学报(自然科学版)》2019年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFLDZK2019040210 DOC编号：DOCLDZK2019040219 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 氧化镍(NiO)晶体暴露在空气中时会因表面氧过剩而电离产生空穴，导致整体呈现p型半导体的特征，因此也被认为是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下的禁带宽度为3.6～4.2 eV，具有良好的气敏和热敏特性，属于表面控制电阻型气敏材料[1]。

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