作者:凌必赟,彭春荣,任仁,储昭志,张洲威,雷虎成,夏善红 单位:中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版:《电子与信息学报》2018年第08期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZYX2018080220 DOC编号:DOCDZYX2018080229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种扭转谐振式MEMS电场传感器》PDF+DOC2019年第06期 储昭志,彭春荣,任仁,凌必赟,张洲威,夏善红 《泡克耳斯效应在电学测量上的应用》PDF+DOC 葛自良,马宁生,章昌奕,谢嘉祥 《集成马赫曾德型光波导工频强电场传感器》PDF+DOC2019年第09期 李佳文,张家洪,许晓平,赵振刚,李川 《基于MEMS电场传感器的直流验电器系统设计》PDF+DOC2019年第09期 唐立军,周年荣,方正云,范良进,张文斌 《MEMS非接触式特高压直流验电器报警阈值设定与实测》PDF+DOC2019年第01期 潘巍巍,方玉群,吴田,张宇娇 《球形电场传感器测量原理及其电场畸变效应分析》PDF+DOC2018年第08期 郑庆阳,阮召安 《一种应用于水质检测的叉指电极传感器的研究》PDF+DOC2020年第03期 王昕,金庆辉,邹杰,简家文 《基于Ansoft的同面电容传感器的研究与仿真》PDF+DOC2010年第06期 庞宇,董恩生,吴云靖,江钦龙 《基于LabVIEW和MEMS敏感结构的工频电场无线检测系统》PDF+DOC2014年第01期 任东宇,彭春荣,夏善红 《意法半导体掀起MEMS消费电子化新浪潮》PDF+DOC2012年第05期 胥京宇
  • 轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 k V/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。