作者:张蕾,刘煜,于梦贤,薛光宇,惠晓雨,梁茂,纪文会,马登学,王常春,梁士明 单位:青岛科技大学 出版:《山东化工》2018年第23期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFSDHG2018230280 DOC编号:DOCSDHG2018230289 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 氧化铟是一种常见的n型半导体材料。本文简要介绍了氧化铟的典型制备方法,总结概括了In_2O_3对乙醇、NO_2和氢气的气敏性能,并展望了其发展方向。

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