作者：李传宇,孔慧,唐玉国,张芷齐,郭振,张威,周连群 单位：中国科学院长春光机所;中国仪器仪表学会 出版：《光学精密工程》2018年第02期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGXJM2018020160 DOC编号：DOCGXJM2018020169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 针对Lamb波压电声波传感器高品质因数(Q值)、低检测极限(LOD)和易集成的性能要求，本文基于SOI(Siliconon-insulator)硅片，通过底层硅(Handling layer)干法刻蚀和中间层(Boxing layer)自截止的方法实现2μm超薄均一的硅衬底结构，然后沉积2μm厚具备高C轴择优取向的氮化铝(AlN)压电薄膜。传感器薄膜区域外设置双端增强反射栅结构用于提高Q值，从而有效降低器件的检测极限，并通过微量水分测试验证性能。该谐振器零阶反对称模式(A0)和零阶对称模式(S0)的谐振状态的实测结果和COMSOL二维模型仿真结果一致，所制作的Lamb波谐振器A0模式的主峰Q值为703，S0模式的主峰Q值为403。微量水分测试S0模式的检测极限优于A0模式，最低检测极限值为0.06%RH。结果表明，氮化铝超薄硅衬底Lamb波压电谐振器能够实现微量水分等高精度检测。

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