作者:万文浩,强敏,张伟,罗仕豪,王韬群,何明逊 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2018年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2018080040 DOC编号:DOCYBJS2018080049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 为提高栅极硅晶片与聚合物敏感膜间粘附力,采用表面接枝聚合法,利用γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰羟基化的硅晶片,将聚苯胺(PANI)以化学键的方式偶联在修饰后的Si-APTES表面,形成平面型刷状结构Si-APTES-PANI。同时设计了基于SEGFET-p H传感器装置,将制备的刷状结构PANI用于分离式扩展栅上的p H敏感膜,结果表明:PANI在p H 1~8范围内具有良好的能斯特响应,灵敏度达58.1 m V/p H,相关系数达到0.99,在p H=7条件下响应时间缩短至2.5 min左右。该p H敏感膜灵敏度高、稳定性好、机械性能好,可用于p H传感器和基于FET的生物传感器。

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