作者: 单位:中国科学院上海技术物理研究所 出版:《红外》1998年第10期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFHWAI1998100110 DOC编号:DOCHWAI1998100119 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本专利提供一种红外辐射传感器,它由p型传导的单晶硅衬底(1)、n型传导的非晶硅膜层(2)以及欧姆电极(3)组成。衬底的比电阻大于 20欧姆/厘米,非晶硅膜层的厚度为(1.6-2.0)μm。在吸收(1-12)μm光谱波段的红外辐射时,上面一层掺有合金元素的硅层内激发的电子借助势垒通过p型硅层和n型硅层。

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