作者:刘泽文,刘理天,李志坚 单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版:《功能材料与器件学报》1998年第02期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCQ802.0080 DOC编号:DOCGNCQ802.0089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅压阻式加速度传感器的结构研究》PDF+DOC1996年第05期 陈宏,鲍敏杭,胡澄宇 《叉指电容式汽车安全气囊硅微加速度传感器的设计和分析》PDF+DOC2010年第20期 南昊,田露 《变面积结构微机械电容式加速度传感器》PDF+DOC2000年第02期 李宝清,陆德仁,王渭源 《硅体微机械叉指电容式加速度传感器设计研究》PDF+DOC1998年第02期 熊幸果,邹强,陆德仁,王渭源 《单片表面微机械加速度表及其在引信中的应用探讨》PDF+DOC1998年第02期 刘银川,方再根,张鹏飞,贾永红 《硅微加速度传感器过载能力的研究》PDF+DOC1996年第04期 陈宏,沈绍群,鲍敏杭 《GaAs基PHEMT加速度传感器的研究》PDF+DOC2010年第02期 贾晓娟,张斌珍,刘俊,薛晨阳,侯婷婷,谭振新,王杰 《硅微型加速度传感器技术》PDF+DOC2007年第03期 吴瑞,温廷敦 《磁流变新型微加速度传感器的分析》PDF+DOC2004年第S1期 林忠华,胡国清,刘文艳,张慧杰 《双E型加速度传感器硅芯片的优化设计》PDF+DOC2003年第01期 唐世洪,张克梅,邓永和,谭子尤
  • 将IC工艺与LIGA工艺结合,在硅基上用镍材料制作高精度电容式双轴微加速度传感器。根据力学原理并结合所采用的工艺特点,对该器件结构进行优化设计,获得了较好的器件性能参数。结果表明,器件的静态电容为2.6pF,量程达±5g。该加速度传感器可同时测量X,Y方向的加速度,最小可测量加速度为2μg/Hz。在开环条件下器件的共振频率为900Hz,频带宽度在0200Hz之间。芯片的几何尺寸约为4×4mm。

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