作者：徐继红 单位：中国电子信息产业发展院 出版：《世界电子元器件》1999年第09期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSDYQ1999090160 DOC编号：DOCSDYQ1999090169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 一、引言 压阻式传感器利用半导体材料的压阻效应来进行压力测量。因为具有体积小、重量轻、分辨率高等独特优点，在备行业得到了广泛应用。但由于半导体材料的固有特性，压阻式传感器普遍存在着如下几方面的问题： (1)一致性问题：由于工艺的关系，即使同一批生产的传感器，其特性也会有比较大的离散性。为了保证足够的精度，必须对每个传感器进行校准。 (2)温漂问题：半导体材料对于温度变化很敏感，因此温漂问题在压阻式传感器中尤其显得突出。实际应用中，必须采取一定措施，对传感器的温度漂移进行补偿。

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