《压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究》PDF+DOC
作者:李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2016年第05期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2016050030
DOC编号:DOCYBJS2016050039
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在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。
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