作者：骆如枋,陆德仁,陆玉萍 单位：上海大学 出版：《应用科学学报》1996年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYKX601.0140 DOC编号：DOCYYKX601.0149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 一种聚酰亚胺（ＰＩ）薄膜电容栅ＦＥＴ微型湿度传感器已经初步研制成功．这是一个ｎ沟道增强型器件，具有曲折栅结构；沟道长约１０μｍ，宽＞８０００μｍ；栅区绝缘层厚约３００ｎｍ（ＳｉＯ＿２＋Ｓｉ＿３Ｎ＿４）；一个Ａｕ－ＰＩ－Ａｌ纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上．本文报道该ＰＩ－ＨＵＭＦＥＴ的结构设计、工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论．

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