作者:吴晓峰 单位:北京长城航空测控技术研究所 出版:《测控技术》1995年第05期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFIKJS1995050190 DOC编号:DOCIKJS1995050199 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 1 原理 在使用半导体二极管PN结作为温度传感器时,通常考虑采用一个恒流源供电,典型参数是10μA,0.3~1.8V(在400~1.8K内)。下面介绍4种简单实用的恒流源,并对其性能加以比较。 由场效应管FET实现的简单恒流源如图1(a)所示。调整电位器改变FET的栅流极电压,实现对恒流的调整。FET选用东芝公司生产的N沟道2SK30A—GR场效应管。采用FET的主要缺点足漏流的固有温度系数。众所周知,FEI有一个偏置点使得FET温度系数为零。可是,在这一点上的漏极电流通常为25~500μA.比恒流源的要求大得多。

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