作者：王跃林,刘理天,郑心畲,李志坚 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1990年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1990090070 DOC编号：DOCBDTX1990090079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术，提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件，研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容，适合研制集成压力传感器。

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