作者：庞世信,匡石,徐淑霞 单位：中国机械工业集团公司;沈阳真空技术研究所 出版：《真空》1990年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZKZK1990040050 DOC编号：DOCZKZK1990040059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文叙述了采用单晶硅压阻效应制作真空变送器的机理和关键工艺．给出了测量结 果和结论，讨论了该元件应用范围等问题。

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