作者：李育刚,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2002年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2002040110 DOC编号：DOCCGJS2002040119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ，与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ，并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。

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