作者:武世香,虞惇,王贵华 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1990年第04期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1990040160 DOC编号:DOCCGQJ1990040169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 三、pH-ISFET的设计与制作 (一)pH-ISFET的设计原则 pH-ISFET的设计原则与普通MOS-FET基本相同,后者已是较为普及的知识,故此处着重讨论pH-ISFET设计中需特殊考虑的问题。 1.材料选择 材料选择包括材料的导电类型、电阻率、晶向等方面。器件电学参数的要求则是选择的依据。

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