作者:张显炽,方湖宝,吴平 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1987Z10380 DOC编号:DOCCGQJ1987Z10389 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《PLZT厚膜研究》PDF+DOC2001年第05期 曾亦可,刘梅冬,李军,夏冬林 《铅基钙钛矿型结构铁电薄膜的介电及热释电性能研究》PDF+DOC2000年第01期 刘梅冬,陈实,曾亦可,饶韫华,李楚容,陈磊,潘晓光,邓传益 《PLT15薄膜热释电红外传感器的研制》PDF+DOC1999年第06期 曾亦可,刘梅冬,绕韫华 《精细T/P复合材料的试制与应用研究》PDF+DOC1999年第04期 邹慰亲,黄学雄 《Zn_(1-y)Al_yO敏感材料的固溶及导电机制》PDF+DOC1995年第02期 郑红,刘杏芹,沈瑜生 《Li_xNa_(1-x)Ta_y·Nb_(1-y)O_3系统陶瓷材料的热释电性能》PDF+DOC1990年第01期 张崇民,郭演仪 《钛酸铅热释电薄膜集成红外传感器》PDF+DOC1986年第10期 Masanori Okuyama 《添钙改性钛酸铅的压电性质及其在水下换能器中的应用》PDF+DOC1988年第04期 Kurt M.Rittenmyer,钟国林 《PZT压电薄膜在微传感器中的应用》PDF+DOC2003年第12期 杨冰,杨银堂,李跃进
  • 由于锆钛比为0.94/0.06时,锆钛酸铅固溶体处于低温铁电三角相与高温铁电三角相及反铁电正交相的三相交界区。实验证明采用0.94/0.06的锆钛比并加入适量软性添加物后使PZT固溶体的相变点接近室温,并使PZT固溶体在改变时引起的晶格畸变小,从而获得低介质损耗、低介电常数与高热释电系数的改性

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