作者：T.Ishihara,何大安 单位：中国航天科技集团公司第七O四研究所 出版：《遥测遥控》1989年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYCYK1989010080 DOC编号：DOCYCYK1989010089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 新型的CMOS集成硅膜压力传感器由一个含四个压阻元件的电桥电路，一个放大器和一个新设计的能抑制电源电压变化和温度漂移的激励电源电路组成。敏感元件用自准直双元硅门CMOS工艺技术制得。方形的硅膜片由异向腐蚀剂N_2H_4&#183；H_2O经腐蚀加工而成。在0～70℃范围内，灵敏度和偏置电压的温度漂移量小于&#177；0.5％。这些数据比常用的杂化技术制得的元件所达到的数值小。利用新设计的激励技术，当电源电压变化&#177；10％时，灵敏的变化不超过&#177；1.5％。

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