作者：方凯,王荣 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1989年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ1989050040 DOC编号：DOCBDTJ1989050049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文是根据晶体管的发射结偏压随温度变化的关系，将温度补偿晶体管代换扩散硅压力传感器中的温度补偿电阻，从而制出一种新型高精度温度补偿压力传感器。

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