作者：刘忠玉 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1983年第Z1期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1983Z10130 DOC编号：DOCCGQJ1983Z10139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了采用硅集成电路技术研制成的能批量生产的固体电容式压力传感器。该传感器的动态压力范围为350mmHg，压力灵敏度约为1100ppm/mmHg，零位压力补偿温度系数约为+50ppm/℃，压力灵敏度温度系数为-20～+50C，温度间距约为+275ppm/℃。传感器采用的是开口腔或真空密封参考腔。这些温度系数基本上都比以前报导的单块装置的温度系数低。这样低的温度系数在许多应用中可以节省昂贵的温度调试系统。

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