作者:张纶 单位:北京长城航空测控技术研究所 出版:《测控技术》1980年第02期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFIKJS1980020010 DOC编号:DOCIKJS1980020019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《玻璃的非匹配封接技术在固态压力传感器中的应用》PDF+DOC1984年第01期 刘欣心 《多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1990年第05期 刘晓为,张国威,刘振茂,郭青,高家昌,范茂军,段治安,崔光浩 《压力传感器的封接原理和工艺》PDF+DOC1988年第04期 庞世信,周成立 《硅压力传感器的静电封接技术》PDF+DOC1985年第01期 陈东河 《可测至200巴的硅压力传感器》PDF+DOC1981年第03期 孟涛 《高温压力传感器的制造工艺》PDF+DOC1984年第04期 付建才 《耐高温微型压力传感器设计》PDF+DOC2004年第03期 范元斌,赵玉龙,赵立波 《基于SIMOX技术的高温压力传感器研制》PDF+DOC2004年第02期 赵玉龙,赵立波,蒋庄德 《半导体高温压力传感器的静电键合技术》PDF+DOC2002年第06期 赵毅强,张生才,姚素英,张为,曲宏伟,张维新 《固态压力传感器在空压机自动控制中的应用》PDF+DOC2001年第05期 姚明仁
  • 本文论及到一种新的高温超小型压力传感器的设计和研制,特别是其中的固态工艺可把这种传感器的使用温度范围扩展到P-N结以上。本文还对P-N结的基本温度范围及其它先进的隔离工艺进行了评论。下面将详细讨论三种不同的工艺方法。1.用不透明的低温焊料玻璃来实现半导体敏感元件与金属传感器组件之间的粘接。2.用静电封装技术来实现半导体敏感元件与传感器的玻璃组件之间的封接。3.用外延淀积法制造集成隔离固态敏感元件。用以上三种技术使传感器的使用温度达到或超过600°F(315.5℃) 文章对以上三种技术的优缺点进行了讨论并指出工艺技术与设计之间的关系。

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