作者：赵玉龙,赵立波,蒋庄德 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2004年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2004020020 DOC编号：DOCYQXB2004020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 应用氧离子注入 (Separation by Implantation of Oxygen) SIMOX技术 ，制作适合于高温环境条件下的固态压阻式硅隔离 (SOI)压力敏感元件。采用了一种新型梁膜结合封装工艺 ，有效地解决了被测压力高温冲击问题 ，可应用于航空、航天发动机等恶劣环境下的压力测量。

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