作者：周鑫,朱大中 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2005年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2005050060 DOC编号：DOCYDSG2005050069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了一种采用0.6μm CM O S工艺实现的256单元光电管阵列四象限CM O S光电传感器。该传感器由16&#215；16单元有源光电管阵列，相关二次采样电路，差分放大电路和数字控制电路组成。每个有源光电管单元的尺寸为60μm&#215；60μm，其感光面积百分比为64.5%，制造工艺与CM O S工艺兼容，实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片化集成。通过变频二次采样的工作方式，该传感器的感光动态范围可扩大到84 dB。

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