作者:王权,丁建宁,王文襄,熊斌 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2005年第08期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2005080220 DOC编号:DOCBDTX2005080229 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 针对石油化工等领域中高温下较高压力测量的要求,设计了压阻式压力传感器敏感芯片,采用SIMOX技术的SOI晶片,在微加工平台上通过低压化学气相淀积法(LPCVD)均相外延硅测量层、浓硼离子注入、热氧化、光刻、电感耦合等离子体(ICP)深刻蚀、多层合金化等工艺流程制作了该芯片,将其封装后,研制出了高精度稳定性佳的耐高温压阻式压力传感器.封装工艺进一步改善后,该芯片工作温区有望拓宽到300~350℃。

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