作者：叶嗣荣,肖灿,黄烈云,向勇军 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2005年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2005020080 DOC编号：DOCBDTG2005020089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《紫外图像传感器技术研究进展》PDF+DOC2013年第04期 权利,王颖,龙维刚,罗木昌,周勋 《基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展》PDF+DOC2016年第12期 朱彦旭,王岳华,宋会会,李赉龙,石栋 《一种采用GaN紫外探测器的便携式紫外辐射计》PDF+DOC2005年第06期 林少鹏,汤昊昊,瑚琦,李孟超,庄松林 《高光谱成像用高速CMOS图像传感器设计》PDF+DOC2020年第04期 冯国旭,刘昌举,刘戈扬,李明,徐江涛 《3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为》PDF+DOC2019年第01期 张翔,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕,马林东,蔡毓龙,王志铭 《新型紫外摄像器件及应用》PDF+DOC2001年第02期 程开富 《CMOS有源图像传感器的最新研究进展》PDF+DOC2005年第01期 李杰,刘金国,王英霞,郝志航 《CCD制造的关键工艺》PDF+DOC2005年第01期 武利翻 《提高CCD图像传感器填充因子的微透镜阵列的研究》PDF+DOC2004年第02期 柯才军,易新建,赖建军 《一种基于列级处理的全摆幅信号读出电路设计》PDF+DOC2012年第05期 高静

    • 采用剥离技术，实现了GaN 基紫外探测器件与硅读出电路的倒焊对接，对提高GaN基紫外图像传感器的电学特性起到了重要的作用。介绍了剥离技术的原理，实验结果分析及应用。

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