作者:张翔,李豫东,郭旗,文林,周东,冯婕,马林东,蔡毓龙,王志铭 单位:西北核技术研究所;国防工业出版社 出版:《现代应用物理》2019年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYYWL2019010090 DOC编号:DOCYYWL2019010099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究》PDF+DOC2017年第04期 李豫东,文林,郭旗,何承发,周东,冯婕,张兴尧,于新 《CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应》PDF+DOC2015年第09期 汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 《热处理对背照式CMOS传感器信噪比影响的实验研究》PDF+DOC2019年第06期 王生凯,靳川,乔凯,焦岗成,程宏昌,刘晖,苗壮 《一种基于运放失调补偿的CMOS传感读出电路》PDF+DOC2019年第08期 钱莹莹 《一种CMOS图像传感器列FPN抑制技术》PDF+DOC2004年第01期 裴志军,国澄明,姚素英,赵毅强 《一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究》PDF+DOC2003年第03期 金湘亮,陈杰,仇玉林 《光电二极管型CMOS有源图像传感器读出电路设计验证》PDF+DOC2007年第10期 颜学龙,郭建峰 《CMOS图像传感器中低FPN列读出电路的设计》PDF+DOC2006年第03期 林晓志,张生才,姚素英,徐江涛 《一种6T像素全局曝光CMOS图像传感器》PDF+DOC2014年第05期 吴治军,李毅强,阳怡伟 《一种新型大动态范围CMOS图像传感器》PDF+DOC2010年第04期 赖小峰,孟丽娅,陈坤,袁祥辉
  • 用能量为3MeV的质子对一款国产背照式CMOS图像传感器进行了辐照试验,得到了该传感器的固定模式噪声随质子注量和退火温度的变化情况。结果表明,3MeV质子辐照后,固定模式噪声有所退化;100℃退火后,固定模式噪声有明显恢复。退化原因主要是浮置扩散结构中位移缺陷引起的暗信号发生了非均匀性变化。此外,受工艺因素限制,读出电路晶体管中的SiO_2-Si界面状态在各个像素单元中不一致,导致辐照后电离总剂量效应诱发的界面态陷阱电荷使各个像素单元中读出电路参数的退化情况不同,是固定模式噪声退化的另一个原因。

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