作者:滕林,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,崔红玲,肖庆国 单位:中国物理学会;高压物理专业委员会;四川省物理学会 出版:《高压物理学报》2004年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGYWL2004010160 DOC编号:DOCGYWL2004010169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器,在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定,后者的压阻系数明显高于前者,并且大于箔式镱传感器的压阻系数,结合扫描电镜和电学性能测试分析,发现热处理有助于薄膜晶粒长大,降低薄膜电阻率,从而提高了镱薄膜传感器的压阻灵敏度。XRD测试分析结果表明,加压有促使薄膜晶粒长大的趋势。镱薄膜传感器制作工艺简单、性能稳定,在工业中具有广泛的用途。

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