作者：顾磊,秦明,黄庆安 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2003年第Z1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2003Z11360 DOC编号：DOCBDTQ2003Z11369 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用MEMS技术 ，对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ，采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ，衬底接地 ，感湿介质采用聚酰亚胺 ，利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路 ，输出可测电压信号 ，利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系

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