作者：凌行,莘海维,张志明,孙方宏,戴永兵,沈荷生 单位：中国电子科技集团公司第48研究所 出版：《微细加工技术》2003年第02期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXJS2003020140 DOC编号：DOCWXJS2003020149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 由于金刚石薄膜具有优良的高温压阻特性，适合于制作高温压力传感器。在Φ50mm〈100〉硅单晶衬底上用热丝CVD法生长本征多晶金刚石薄膜作为绝缘隔离层，通过掩模选择性生长法得到掺硼金刚石薄膜电阻条，再经金属化处理和腐蚀硅压力腔，得到了压阻式金刚石压力微传感器的原型器件。对该器件的压力输出特性测量表明，输出电压—压力曲线线性较好，重复性好，常温下灵敏度高。

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