作者:张冬至,胡国清,陈昌伟 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2009年第11期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2009110010 DOC编号:DOCYBJS2009110019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《耐高温压力传感器研究现状与发展》PDF+DOC2011年第02期 张晓莉,陈水金 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《压阻型α((6H)碳化硅压力传感器可在高达600℃的高温下工作》PDF+DOC1997年第02期 Roger Allan ,晓萍 《‘SIMOX’(氧注入隔离):一种用于高温硅传感器的工艺》PDF+DOC1990年第02期 黄庆安 《一种可在高温条件下工作的压力传感器》PDF+DOC1987年第03期 秦秋石 ,刘通 《高温压力传感器的制造工艺》PDF+DOC1984年第04期 付建才 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英
  • MEMS高温压力传感器随着新型半导体材料和加工工艺的不断深入研究而迅速发展,近年来这一研究方向涌现出不少研究成果。对国内外具有主导影响的多晶硅、SOI、SOS、金刚石薄膜、SiC、电容式、声表面波、光纤式等几类耐高温压力传感器的研究进展、技术关键及应用情况等做回顾论述,并针对各自的主要优缺点进行对比分析和讨论,最后展望了高温压力传感器的发展趋势。

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