作者：袁明权,孙远程,张茜梅,武蕊,屈明山,熊艳丽 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2013年第05期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2013050340 DOC编号：DOCCGQJ2013050349 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一种适合于高gn值压阻式微加速度计圆片级封装的结构，解决了芯片制造工艺过程中电极通道建立、焊盘保护、精确划片等关键技术。采用玻璃—硅—玻璃三层阳极键合的方式进行圆片级封装，较好地解决了芯片密封性、小型化和批量化等生产难题。在4 in生产线上制作的高gn值压阻式微加速度计样品，尺寸仅为1 mm&#215；1 mm&#215；0.8 mm；对传感器进行的校准与抗冲击性能测试，结果表明：样品具备105gn的抗冲击能力、0.15μV/gn/V的灵敏度以及200 kHz的谐振频率。

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