作者: 单位:中国电子信息产业发展院 出版:《世界电子元器件》2013年第09期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFSDYQ2013090010 DOC编号:DOCSDYQ2013090019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 首个半浮栅晶体管问世最新一期《科学》(Science)杂志刊登了由复旦大学微电子学院教授张卫领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文。相关专家认为,该成果有助于中国掌握集成电路的核心技术,从而在国际芯片设计与制造领域获得更多的话语权。在过去的几十年里,各国科学家努力将更多的MOSFET集成到一个芯片上,以提高运算能力,并钻研如

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