作者:蔡梅妮,林友玲,车录锋,苏荣涛,周晓峰,黎晓林 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2012年第12期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2012120300 DOC编号:DOCCGQJ2012120309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 设计了一种可用于器件级真空封装的三明治电容式MEMS加速度传感器。该传感器被设计为四层硅结构,其中上下两层为固定电极,中间两层为硅—硅直接键合的双面梁—质量块结构的可动电极。利用自停止腐蚀工艺在中间质量块键合层上腐蚀出2个深入腔内的V型抽气槽,使得MEMS器件在后续的封装中能够实现内部真空。为防止V型抽气槽在划片中被水或硅渣堵塞,采用双面划片工艺。划片后,器件的总尺寸为6.8 mm×5.6 mm×1.72 mm,其中,敏感质量块尺寸为3.2 mm×3.2 mm×0.86 mm,检测电容间隙2.1μm。对器件级真空封装后的MEMS加速度传感器进行了初步测试,结果表明:制作的传感器的谐振频率为861 Hz,品质因数Q为76,灵敏度为1.53V/gn,C-V特性正常,氦气细漏<1×10-9atm-cm3/s,粗漏无气泡。

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