作者:张娜,李颖,张治国,祝永峰,董春华,殷波 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2012年第01期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2012010060 DOC编号:DOCYBJS2012010069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性,常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常<10μm)极板间的粘连,导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法,并对封接相关参数进行了分析,确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题又简化了工艺步骤,适合现阶段大规模生产的需求。

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