作者:李颖,张治国,祝永峰,林洪,刘剑,刘沁,匡石,孙海伟 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2009年第11期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2009110050 DOC编号:DOCYBJS2009110059 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效。文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题。该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值。

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