作者:于葛亮,卜雄洙,史晓君,熊长兵 单位:南京理工大学 出版:《南京理工大学学报》2011年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNJLG2011030090 DOC编号:DOCNJLG2011030099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于GMI效应的磁传感器研究与发展现状》PDF+DOC2011年第04期 郝建华,郑全普,胡然,丁丹 《基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现》PDF+DOC2011年第08期 杨慧,王三胜,郭恺,褚向华,徐炎 《高灵敏度弱磁传感器研究》PDF+DOC2014年第01期 曾宪金,李庆萌,赵文辉,张军海,孙伟民 《频率调制型巨磁阻抗弱磁传感器设计》PDF+DOC2013年第12期 杨波,卜雄洙,赵文 《基于纵向激励的Fe基非晶带加速度传感器》PDF+DOC2013年第03期 史晓君,卜雄洙,杨波 《利用手机传感器研究变化磁场中的单摆运动》PDF+DOC 刘利澜,李德安 《GMI磁传感器内部灵敏度与噪声特性研究》PDF+DOC2011年第02期 蒋颜玮,房建成,王三胜 《基于热膜探头的新型气体流量传感器研究》PDF+DOC2009年第05期 赵伟国,宋执环,黄震威,梁国伟 《巨磁阻抗磁传感器的研究进展》PDF+DOC2008年第05期 蒋颜玮,房建成,盛蔚,黄学功 《非晶合金带巨磁阻抗效应新型磁传感器研究》PDF+DOC2008年第09期 鲍丙豪,周亚东,王伟志
  • 为研制高性能的弱磁传感器,通过纵向激励方式,使得铁基非晶带Fe78Si9B13具有高巨磁阻抗(GM I)效应。在传感器电路设计中,RC反相振荡电路与开关管构成脉冲信号发生电路;峰值检波电路、无源低通滤波电路与AD620差分运算电路构成信号调理电路;由双运放组成的V/I转换电路作为负反馈电路。对基于GM I效应的弱磁传感器的输出进行了试验标定与数据分析。测试结果表明:在磁场-210μT至210μT范围内,灵敏度为5.7 mV/μT、线性度为0.87%,重复性为0.63%,迟滞误差为±0.36%,达到了实际的弱磁场测试要求。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。