作者：袁方超,李舜酩 单位：重庆理工大学 出版：《重庆理工大学学报(自然科学)》2016年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGGL2016010050 DOC编号：DOCCGGL2016010059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过小挠度理论对感应膜片进行了应力与挠度计算，采用ANSYS仿真验证了碳化硅(Si C)压阻式压力传感器感应膜片的性能，并进行了膜片的对比选型与分析。对感应膜片进行了热-结构耦合分析，对比分析了感应膜片在不同温度场下的应力分布情况，确定了压敏电阻的布置位置，并对不同温度场下施加不同的压力载荷时感应膜片的应力场与电压输出进行了仿真分析。研究结果表明：高温环境下传感器的输入(压力)-输出(电压)呈线性关系，且输出电压随温度升高而降低，这对压阻式高温压力传感器感应膜片的设计具有一定的指导意义。

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