作者：赵晓锋,温殿忠 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2010年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2010030160 DOC编号：DOCCGJS2010030169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO，不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS，调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明，当外加磁场B=0时，工作电压VDS恒定时，随栅极偏置电压VGS绝对值增加，纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出；采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高，在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。

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