《3D封装与硅通孔(TSV)工艺技术》PDF+DOC
作者:郎鹏,高志方,牛艳红
单位:中国电子科技集团公司第二研究所
出版:《电子工艺技术》2009年第06期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZGY2009060050
DOC编号:DOCDZGY2009060059
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在IC制造技术受到物理极限挑战的今天,3D封装技术越来越成为了微电子行业关注的热点。对3D封装技术结构特点、主流多层基板技术分类及其常见键合技术的发展作了论述,对过去几年国际上硅通孔(TSV)技术发展动态给与了重点的关注。尤其就硅通孔关键工艺技术如硅片减薄技术、通孔制造技术和键合技术等做了较详细介绍。同时展望了在强大需求牵引下2015年前后国际硅通孔技术进步的蓝图。
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