《氮化硅薄膜传感器的平面加工工艺研究》PDF+DOC
作者:谭六喜,赵根宝,刘胜,徐勇,冷毅,姚媛
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2008年第02期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2008020180
DOC编号:DOCCGQJ2008020189
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介绍一种以氮化硅薄膜为压力敏感膜、多晶硅为电阻应变计的压力传感器。该压力传感器先后采用2种不同的平面加工工艺进行加工,实际结果表明:改进后的工艺比较好。通过采用对称分布在一个敏感膜上的4只多晶硅电阻应变计串联组成惠斯通电桥的一个桥臂,减少桥臂电阻的制作误差。制作传感器样品并对传感器的电压输出特性进行了测试。测试结果表明:恒流激励的传感器的电压输出特性非常好,传感器具有过载保护功能。
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