《倾斜梳齿的MEMS电容式传感器惯性脉冲响应特性研究》PDF+DOC
作者:董林玺,颜海霞,钱忺,孙玲玲
单位:中国电子学会
出版:《电子学报》2008年第05期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZXU2008050370
DOC编号:DOCDZXU2008050379
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DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器为没有静电力反馈的双边电容结构时,梳齿电容的不平行对传感器的响应位移、惯性脉冲响应线性度范围影响明显,且随着封装真空度增加而加重.若传感器有静电力反馈,惯性脉冲响应的灵敏度降低,但DRIE工艺因素的影响程度降低.为了抑制DRIE工艺导致的梳齿电容不平行因素的影响,文中还设计了一个新型的变电容面积的MEMS惯性传感器,并用ANSYS初步分析了其性能,设计了其详细的制作工艺流程。
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