作者:张凤田,唐祯安,汪家奇,余隽 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》2008年第06期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX2008060160 DOC编号:DOCBDTX2008060169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2~105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性。

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