作者:娄利飞,李跃进,杨银堂,汪家友 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》2008年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG2008020210 DOC编号:DOCYDSG2008020219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 采用双槽电化学腐蚀法成功的制备了多孔硅,从多孔硅的SEM照片中发现,孔径尺寸小,均匀性好,腐蚀深度大(超过100μm),在极稀的弱碱溶液中就可以得到去除,然后对双槽化学腐蚀法中腐蚀时间及电流对腐蚀速率的影响进行了研究,最后进一步探讨了多孔硅外貌与硅衬底晶向之间的关系。

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